Для использования всех возможностей алмазов в электронике, нужно чтобы они были токопроводящими. Это можно сделать с помощью легирования алмазов частицами полупроводниковых материалов. Процесс получения легированного алмаза сам по себе не сложен, гораздо сложнее объединить токопроводящие алмазные основы и тонкопленочное покрытие в конструкцию электронных конструкций и полупроводниковых чипов. Для этого нужны крайне высокие температуры, разрушающие восприимчивые к температуре частицы датчиков электронных устройств. Существенным моментом новой технологии легирования бором и оседания пленки при низких температурах есть четкое следование пропорциям метано-водородной смеси в среде для протекания всех процессов. Исследователям нужно провести еще несколько экспериментов, которые позволили бы собрать вспомогательные данные, раскрывающие все внутренние резервы осаждения алмазов при низких температурах. Ожидается, что некоторые изменения дадут возможность осаждать алмазные пленки при температурах ниже 400 градусов.
Комментарии: