Для використання всіх можливостей алмазів в електроніці, потрібно щоб вони були струмопровідними. Це можна зробити за допомогою легування алмазів частинками напівпровідникових матеріалів. Процес отримання легованого алмазу сам по собі не складний, набагато складніше об'єднати струмопровідні алмазні основи і тонкоплівковий покриття в конструкцію електронних конструкцій і напівпровідникових чіпів. Для цього потрібні дуже високі температури, що руйнують сприйнятливі до температури частинки датчиків електронних пристроїв. Істотним моментом нової технології легування бором і осідання плівки при низьких температурах є чітке дотримання пропорцій метано-водневої суміші в середовищі для протікання всіх процесів. Дослідникам потрібно провести ще кілька експериментів, які дозволили б зібрати допоміжні дані, що розкривають усі внутрішні резерви осадження алмазів при низьких температурах. Очікується, що деякі зміни дадуть можливість осаджувати алмазні плівки при температурах нижче 400 градусів.
Комментарии: